很多人第一眼看到北方华创这篇论文，脑子里冒出来的词是“绕开光刻机”。这四个字太容易让人兴奋了，但恰恰也是最容易把事看浅的地方。根据IT时代网和半导体产业纵横的报道，北方华创近日在IEEE期刊（国际电气与电子工程师学会，全球最大的电子电气技术学术组织之一）上发表了一项“两步循环刻蚀”工艺，针对硅与硅锗交替堆叠的64层/64对结构，刻蚀选择比做到了500:1以上，结构均匀度超过95%。消息出来后，市场的第一反应是国产存储是不是找到了一条不用EUV光刻机（极紫外光刻机，当前最先进的芯片光刻设备，全球基本就荷兰那一家独供）也能往前走的路。但真正值得拆开的，不是“绕开”这一策略本身，而是绕开之后，整条产业链的标尺正在被谁重新定义。
先把这事的技术底交代清楚。根据半导体产业纵横和腾讯新闻的报道，北方华创这套工艺分两步走：第一步用无偏置的氟自由基对硅锗层做定点刻蚀，同时对硅层保持高选择性，还在硅层表面形成一层氟化锗保护膜；第二步引入反应气体清理底部副产物，保证气体能垂直往下穿透。难在哪？难在几十层交替材料堆在一起，要精准挖掉其中一层而不伤到隔壁，深孔里横向还不能刻歪。过去这类高深宽...