功率半导体行业有个被翻来覆去算的账：晶圆直径从200毫米上到300毫米，单片产出变成原来的2.3倍，单位成本理论上能往下摊。可英飞凌这次在奥地利菲拉赫的策略，账面看起来却反得厉害——花11亿欧元升级一个已经存在的洁净室，从宣布到投产还要等上约14个月。按一般人的直觉，改老厂房应该比新建快得多，现有设施改造却要拖上约14个月。这背后藏着一个大多数人没算进去的账本：英飞凌要买的不是厂房面积，而是300毫米氮化镓从外延生长到背面减薄一整条工艺线路上每一台关键设备前面的排队位置。
2026年10月27日，英飞凌正式宣布，将在奥地利菲拉赫工厂建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN，一种能让功率转换在更小体积下承受更高电压和更低能量损耗的宽禁带半导体材料）功率半导体大规模量产基地。项目计划到2034年累计投入约11亿欧元，利用现有及升级后的洁净室设施实现产能扩张，目标2027年底投产。欧盟委员会已批准向该项目授予3.19亿欧元国家援助，奥地利经济部门预计将在规定期限内正式履行资金承诺。（来源：界面新闻、IT之家）