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Rapidus撞上SRAM:日本2纳米追赶的命门,不在EUV在基础存储单元

沈曼 2026.11.11

“当追赶者把所有筹码押在制程跳跃上时,真正拖慢脚步的,往往是那些看似最不起眼的基础环节。”(AIFUC · 商业决策哲学)

很多人以为,追赶2纳米制程的命门是那台动辄上亿欧元的极紫外光刻机(EUV,当前最先进的芯片光刻设备),或者是GAA晶体管架构(全环绕栅极晶体管,让栅极从四个方向包住导电沟道以加强电流开关控制)的巧思。但2026年11月围绕日本芯片企业Rapidus的争议,给出了另一个答案:真正让这个政府重金押注的项目陷入延期的,是一种叫SRAM——静态随机存取存储器,芯片内部用于临时存放数据的快速缓存单元——的基础存储单元。据彭博社11月10日报道,Rapidus至今没能生产出可用的SRAM,而此前的量产路线图要求它在今年夏天就稳定达成这一里程碑,眼下至少落后数月。Rapidus方面则对外坚称,2纳米节点将按原计划推进、不会延期。

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