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二十年只换来一句“不行”:美光放弃4F² DRAM,把路线押给键合机

马国华 2026.10.22

“存储芯片的单比特利润,正从光刻机的光束精度,流向键合机的界面良率。”

一家公司把一条技术路线研究了二十多年,最后在行业景气最高、经营现金流最充沛的年份里公开承认“不行”,这件事本身就带着强烈的落差感。2026年10月21日,美光科技(Micron,美国存储芯片大厂)在年度技术网络研讨会上,正式宣布放弃4F² DRAM路线。DRAM指动态随机存取内存,是电脑和服务器里最常用的内存芯片;4F²是一种更紧凑的内存单元布局。美光不再强行推进4F²,转而继续沿用现有6F²结构(当前主流的内存单元布局),并把晶圆键合与3D堆叠放到未来路线图的核心位置。发布资料里写明:“我们对4F²的研究已经超过20年,但不存在具备可量产性的微缩路径。”来源:环球市场播报。美光总裁兼首席技术与产品负责人(CTPO)Scott DeBoer的表述更直接,他说4F²相对6F²的密度优势“很大程度上近乎一个神话”。来源:环球市场播报。

这个决定的另一面,是它的亚洲同行并没有同时下桌。三星电子和SK海力士仍在研发基于垂直沟道晶体管(VCT,一种把晶体管竖起来制造的结构)的4F²单元,目标突破10纳米以下工艺的物理极限。来源:环球市场播报。中...

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