一个被美光研究了二十年、最终判定为"没有可行微缩路径和实际收益"的架构，长鑫科技把它做成了第六代DRAM技术平台。10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，基于4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器，电脑和手机里负责临时存储运算数据的关键芯片）架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于4F²架构，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，进入产品量产前夜。放在全球存储芯片三强的竞争版图里看，这件事的冲击力不在于长鑫又往前走了一步，而在于它走了一条被最头部玩家公开否定的路。
先把分歧摊开来看。美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（斯科特·德波尔）本月早些时候明确表态，美光将沿6F²路径（存储单元面积为6个最小特征尺寸平方的主流布局）并开发3D DRAM（三维堆叠动态随机存取存储器，把存储单元像盖楼一样向上堆叠以提升密度），不做4F²。他的理由很直接：美光研究了4F²二十年，认为这个方向没有可行微缩路径和实际收益，电容间距、电容尺寸才是决定位密...