最近有个动向，初看挺反直觉。HBM4（高带宽内存第四代，就是AI加速器旁边那层堆叠内存）的接口数量从上一代HBM3E（第三代高带宽内存）的1024个直接翻倍到2048个，性能往上蹿，可发热量和良率压力也跟着上来了。按常理，下一代AI加速器越做越强，内存堆叠应该越堆越高才对。但英伟达近期的采购策略往回退了一步。根据财闻网2026年8月26日的报道，三星电子与SK海力士计划2026年下半年提高供货给英伟达的8层HBM4比重，降低12层占比；凤凰网大风号同日援引的消息也提到，英伟达要求上游供应商增加8Hi（8层堆叠）HBM4供应、减少12Hi（12层堆叠）。说白了，不是一昧冲高规格，而是先让更多加速器能造出来。
这个细节值得多看一眼。财闻网和凤凰网大风号都提到，12层HBM4不是性能不好，而是卡在良率和发热上。HBM4的I/O接口数量翻倍，整套服务器机架系统的发热明显增加；12层堆叠要经过DRAM晶圆打孔、减薄、多层键合、模封，再和逻辑基底做2.5D先进封装，完成全流程后整体良率会明显下滑。换句话说，实验室里堆得上去，不代表工厂里能稳定出货。英伟达希望上游多供8层HBM4，...