10月15日,三星在深圳全球存储创新论坛上,把业界首款堆叠层数超过400层的V10 NAND端到了台面上。CNMO科技和凤凰网、搜狐的报道写得很清楚:V10数据密度比上一代提升58%,传输速度提升33%,功耗降低25%。技术端冲到了行业最前面。七天前的10月8日,IT之家的业绩快报把财务端摆出来:三星电子2026财年第三财季营业总收入195万亿韩元,营业利润107.4万亿韩元,同比大幅增长。真正让这笔账变重的,是观察者网9月30日报道的另一件事:美国商务部工业安全局(BIS,美国管高技术设备出口的政府部门)原则上允许三星维持中国现有工厂运转,却不打算批准它在中国扩大产能或升级技术。三星或将2027年把西安工厂的NAND工艺推进到286层。这事不取决于三星有没有技术——400层的样品已经公开。真正卡住的是,西安厂从现有236层平台往286层走,需要的高深宽比刻蚀、沉积、量测这几类设备,能不能持续从华盛顿手里拿到年度许可。
商业拆解
韩国
半导体与芯片
400层V10已经发布,西安厂的286层还在等下一张许可
陈锋 2026.10.21
“当实验室能堆到400层,工厂的命运却押在年度设备许可那张纸上。”
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