一家公司最赚钱的产品线里最核心的一道工序，被最大客户指名交给最大的竞争对手，而这家公司评估之后说“接受”。这不是外包失守，这是把沿用了多年的“全包”叙事从内部拆开了一条缝。10月18日，《首尔经济日报》援引业界消息报道，英伟达已向三星电子、SK海力士、美光三家NVHBM供应商提出要求：HBM4E的基底裸片（base die，即堆叠在底层负责信号控制与数据调度的那颗逻辑芯片）统一采用台积电3纳米工艺制造，核心裸片（core die，真正存数据的DRAM芯片）统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。三星设备解决方案事业部经内部评估决定接受。这意味着三星HBM从核心裸片到基底裸片全部自产的“交钥匙”模式，第一次在英伟达的定制产品上被改写。
三星的HBM生意此前一直是一个闭环。HBM4和HBM4E的基底裸片都用三星自家4纳米工艺，核心裸片在华城、平泽厂区的1c产线生产，存储、逻辑、封装、测试全在自己手里。根据IT之家的报道，面向AMD等其他客户的定制HBM，三星也计划继续沿用一站式全包方案。现在英伟达要求把NVHBM的基底裸片从三星4纳米切到台积电3纳米，切掉的不是一道普通工序...